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超宽禁带半导体技术-IFWS

IFWS系列会议

材料与装备论坛-C-超宽禁带半导体材料

材料水平直接决定了器件的性能。以碳化硅、氮化镓等重要的第三代半导体材料,在大功率高频器件中具有重要的应用。其本论坛碳化硅衬底与外延、氮化镓衬底与外延两个单元,分别涵盖碳化硅和氮化镓生长材料、衬底、同(异)质外延薄膜、测试表征和相关设备,对碳化硅和氮化镓从机理到工业化进程进行系统的探讨。以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料与其他先进电子材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性,在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显着的优势和巨大的发展潜力。本论坛超宽禁带与其他先进电子材料单元着重研讨超宽禁带半导体材料与其他先进电子材料的制备、工艺技术、关键设备,探讨部分器件应用。生长装备与其他装备单元,本着“材料、工艺、装备一体化”发展的宗旨,促进装备企业与产业链上下游企业之间的互动交流与协同合作,助力研发自主创新的国产化装备。


程序委员会专家召集人

刘明——中科院院士、中国科学院微电子研究所研究员

陶绪堂——山东大学讲席教授

张进成——西安电子科技大学校长助理、教授

龙世兵——中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授

王新强——北京大学教授

王宏兴——西安交通大学教授

叶建东——南京大学教授

刘玉怀——郑州大学教授

冯志红——中国电子科技集团公司第十三研究所首席科学家


超宽禁带半导体材料

时间:2021年12月6日 下午 13:30- 17:50

地点:深圳会展中心•五层玫瑰厅3

Time: Dec 6th,2021 Afternoon

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5thRose Hall 3

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

主持人

Moderator

陶绪堂/TAO Xutang--山东大学特聘教授

龙世兵/LONG Shibing--中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授

13:30-13:55

对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3

Power Devices and How They Stand up to GaN and SiC

Huili Grace XING--美国康奈尔大学特聘教授、工程学院副院长

Huili Grace XING --Distinguished Professor, Vice president of College of Engineering,Cornell University, USA

13:55-14:15

六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述

A Review on Hexagonal Boron Nitride Film Growth on Different Substrates

刘玉怀--郑州大学电子材料与系统国际联合研究中心主任、教授

LIU Yuhuai—Professor, Zhengzhou University

14:15-14:35


超宽禁带半导体氧化镓材料与器件研究进展

Research Progress of Ultra-wide Band Gap Ga2O3 Materials and Devices

唐为华--北京邮电大学/南京邮电大学 教授

TANG Weihua-- Professor, Beijing University of Posts and Telecommunications

14:35-14:55

高质量金刚石单晶生长及性质研究

Growth and properties of high quality diamond single crystal

彭 燕--山东大学晶体材料研究所副教授

PENG Yan--Associate Professor,Shandong University

14:55-15:15

hBN薄膜的制备与应用

The fabrication and application of hBN Films

李 强--西安交通大学电子学院院长助理、副教授

LI Qiang--Associate Professor, Xi’an Jiaotong Universerty

15:15-15:30

高性能超薄氧化镓日盲X射线双功能探测器

High-performance Ultra-thin Gallium Oxide Solar-blind and X-ray Dual-function Detector

于舜杰--中国科学技术大学

YU Shunjie--University of Science and Technology of China

15:30-15:45

茶歇 / Coffee Break

15:45-16:05

基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究MOCVD-grown β-Ga2O3 nanowire-based transistors and solar-blind photodetectors

张逸韵--中科院半导体所研究员

ZHANG Yiyun--Professor , Institute of Semiconductors, CAS

16:05-16:25

大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究

Progress of large size diamond substrate and its FET development

王艳丰--- 西安交通大学助理教授

WANG Yanfeng--Assistant Professor of Xi'an Jiaotong University

16:25-16:45

超宽禁带氧化镓功率电子及核电子器件研究进展

Progress on ultrawide bandgap β-Ga2O3 based power electronics and nuclear radiation detectors

卢星—中山大学副教授

LUXing--AssociateProfessor, Sun Yat-sen University

16:45-17:05

基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器

Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor-based Solar Blind

徐明升--山东大学微电子学院副教授

XU Mingsheng--Associate Professor,School of Microelectronics, Shandong University

17:05-17:20

β-Ga2O3/2D异质结界面性能调控及其潜在应用 β-Ga2O3/2D

Interfacial Performance Modulation and Application of β-Ga2O3/2D Heterostructure

袁海东--西安电子科技大学

YUAN Haidong--Xidian University

17:20-17:35

κ-Ga2O3/In2O3 同型异质结构的能带排列和界面弯曲

Band lineup and interfacial bending at κ-Ga2O3/In2O3 isotype heterostructures

况悦--南京大学

KUANG Yue—Nanjing University

17:35-17:50

蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究

Deep Ultraviolet Edge Emitting Laser Diode Using Novel Boron Gallium Nitride over Sapphire Substrate: Simulation Study

Mussaab I. Niass --郑州大学

Mussaab I. Niass --Zhengzhou University

(备注:日程会有小幅改动,请以会议现场为准!)