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固态紫外材料与器件技术-SSLCHINA & IFWS

SSLCHINA & IFWS系列会议

第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势,展现出巨大的应用潜力。本论坛将重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子结构设计及外延,以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术,并涵盖紫外器件的先进封装材料及技术,包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。


材料与器件技术的快速进展,为紫外LED对传统汞灯的渐进应用替代提供了可能性。基于UVA波段的紫外 LED 固化已成功应用于胶印、丝印油墨印刷,玻璃塑料粘接、压敏胶带生产、喷墨印刷、UV LED甲油胶等领域。据悉,在平板打印,数码打印,喷码打印,标签打印,胶水固化等市场,UVLED的光固化替代率已经近50%,随着技术的进步,将有望带来更多的创新应用,未来可期。而疫情防控常态化带来的紫外光源需求的快速增长,也为紫外LED杀菌消毒带来了更多市场机遇和技术挑战。本论坛关注固态紫外发光和探测器件全产业链,从材料制备到终端应用,探讨产业发展浪潮催生的市场需求和技术进展。


固态紫外材料与器件技术
召集人:
康俊勇--厦门大学教授
王军喜--中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任
陆海--南京大学教授
陈长清--华中科技大学教授
郭浩中--台湾交通大学特聘教授
李晓航--沙特国王科技大学副教授
许福军--北京大学物理学院副教授


紫外模块封装技术
召集人:
陈明祥--华中科技大学教授


F7:固态紫外器件与应用论坛 / Technologies and Applications for Solid-State Ultraviolet Device

时间:2021年12月7日

地点:深圳会展中心•五层菊花厅

Time: Dec 7th,2021

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center•5th Floor Narcissus Hall

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

固态紫外材料与器件技术/ Technologies for Solid-State Ultraviolet Materials and Devices

主持人

Moderator

康俊勇 / KANG Junyong

厦门大学教授 / Professor of Xiamen University

王军喜 / WANG Junxi

中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任 /Professor & Director of Research and Development Center forSemiconductor Lighting, Institute of Semiconductors, CAS

09:00-09:25

UVC-LED 面向消毒杀菌的应用

UVC-LED for disinfection and sterilization applications

李世玮--香港科技大学教授

Ricky LEE--Professor, Hong Kong University of Science and Technology

09:25-09:50

紫外杀菌技术在净水器中的应用研究Research on the Application of Ultraviolet Sterilization Technology in Water Purifier

陈小波-——艾欧史密斯(中国)环境电器有限公司技术总监
CHEN Xiaobo-Technical Director of A. O. Smith (China) Environmental Products Co., Ltd.,


09:50-10:15

深紫外LED可靠性研究进展 Development and study of high-reliability deep UV LEDs

孙文红--广西大学物理学院光电材料与器件研究中心教授

Wenhong Sun--Professor, Research Center for Optoelectronic Materials and Devices, School of Physical Science and Technology, Guangxi University

10:15-10:40

真空紫外探测技术与器件

Vacuum ultraviolet Photon detections

郑伟--中山大学(深圳)材料学院副教授

ZHENG Wei--Associate Professor of School of Materials, Sun Yat-sen University

10:40-10:55

茶歇/Coffee Break

10:55-11:20

利用界面效应的高Al组分AlGaN的高效p型掺杂及其深紫外光电探测应用

High Efficiency P-type Doping of High Al Component AlGaN Utilizing Interface Effect and Its Application in Deep UV Photoelectric Detection

江灏--中山大学电子信息工程学院教授

JIANG Hao--Professor of School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University

11:20-11:45

基于维度调控的GaN紫外LED及光电集成

GaN UV LED and photoelectric integration based on dimensional control

宁静--西安电子科技大学副教授

NINGJing--Associate Professor of Xidian University

11:45-12:00

提升深紫外LED光提取效率的Ag纳米点/Al高反射电极研究

Improved light extraction efficiency of AlGaN deep-ultraviolet light emitting diodes combining Ag-nanodots/Al reflective electrode with highly transparent p-type layer

王柳冰--北京大学

WANG Liubing—Peking University

12:00-13:30

午休/LunchTime

13:30-13:55

使用石墨烯作为透明导电衬底的AlGaN纳米线UV LED

AlGaN Nanowire UV LEDs Using Graphene as a Transparent Conducting Substrate

Helge Weman--挪威科学院院士、挪威科学技术大学教授

Helge Weman--Professor of the Norwegian University of Science and Technology (NTNU), Norway; Academician of the Norwegian Academy of Technical Sciences (NTVA)

13:55-14:20

紫外光电器件中的极化激元和等离激元研究

Polaritons and Plasmons Research for Deep-UV Optoelectronics Devices

黄凯--厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授

HUANGKai--Deputy Dean &Professor ofCollege of physical Science and Technology, Xiamen University

14:20-14:55

AlN薄膜的应力调制、剥离及深紫外LED器件

Strain-control and exfoliation of epitaxial AlN film and deep-ultraviolet light emitting diodes

魏同波--中国科学院半导体研究所研究员

WEI Tongbo--Professor of Institute of Semiconductors, CAS

14:55-15:20

高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用

Approach exploration of high quality AlN and application of deep UV light-emitting devices

许福军--北京大学物理学院副教授

XU Fujun ---Associate Professor, School of Physics, Peking University

15:20-15:35

AlGaN基264nm深紫外LED热阻特性分析

Thermal Resistance Analysis of AlGaN-Based 264nm UVC-LED

张议聪--集美大学

YI-Tsung Chang--JiMei University

15:35-15:50

茶歇/Coffee Break

15:50-16:15

异质外延AlN材料的缺陷和应变调控研究

Research on Defects and Strain Control of Heteroepitaxial AlN Materials

陈志涛--广东科学院半导体研究所所长

CHEN Zhitao--Director of the Institute of Semiconductors, Guangdong Academy of Sciences

16:15-16:40

紫外探测用Ga2O3合金研究

Ga2O3 based wide semiconductors for UV detection

张法碧--桂林电子科技大学教授

Fabi Zhang--Professor of Guilin University of Electronic Technology

16:40-16:55

In摩尔组分对InGaN基近紫外发光二极管发光特性的影响

Influence of Indium Molar Fraction on Optical Properties of InGaN-basedNear-ultraviolet Light-emitting Diodes

Muhammad Nawaz Sharif--郑州大学

Muhammad Nawaz Sharif--Zhengzhou University

16:55-17:10

峰值波长为 222nm 的远紫外线KrCl准分子灯的活化能和寿命研究

A Study of the Activation Energy and Lifetime of Far-UVC KrCl Excimer Lamps with 222nm Peak Wavelength

董国帅--港科技术(佛山)有限公司

DONG Guoshuai--Manager of Product Development, GKTech Co., Ltd.

(备注:日程会有小幅改动,请以会议现场为准!)