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碳化硅衬底、外延与生长装备

F3-材料与装备论坛(碳化硅衬底与外延)

时间:2021年12月7日

地点:深圳会展中心• 五层玫瑰厅3

Time: Dec 7th,2021 

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5th Rose Hall 3

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

协办支持/Co-organizer:

广州南砂晶圆半导体技术有限公司 Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd.

山西烁科晶体有限公司 Shanxi ShuoKe Crystal Co., Ltd.

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 Harbin KY semiconductor, Inc.

主持人

Moderator


徐现刚——山东大学教授

XU Xiangang—Professor of Shandong University

唐景庭——中国电子科技集团第二研究所所长

TANG Jingting—Director of the 2nd Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation


09:00-09:25

用于电力电子的 150 毫米和 200 毫米直径高产 4H 碳化硅的缺陷表征和晶体生长Defect characterization and crystal growth of 150 mm and 200 mm diameter high yielding 4H SiC for power electronic applications

P.S.Raghavan--GT Advanced Technologies首席技术官

P.S.Raghavan--CTO of GT Advanced Technologies

09:25-09:45

SiC单晶材料生长及缺陷控制机制 SiC single crystal material growth and defect control mechanism

陈秀芳--山东大学教授,广州南砂晶圆半导体技术有限公司副总经理

CHEN Xiufang—Professor of Shandong University, Deputy General Manager of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd.

09:45-10:05

化合物半导体材料发展展望 Prospects for the development of compound semiconductor materials

李斌--山西烁科晶体有限公司总经理、中电科半导体材料有限公司副总经理

Li Bin--General Manager of Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., Deputy General Manager of CEC Semiconductor Materials Co., Ltd.

10:05-10:25

碳化硅单晶衬底与外延进展及产业化Progress and industrialization of silicon carbide substrate and epitaxy

王刚 中国科学院物理所研究员

Wang Gang Professor,Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences

10:25-10:40

茶歇/Coffee break

10:40-11:00

低成本碳化硅单晶材料产业化技术研究 Research on Industrialization Technology of Low-cost Silicon Carbide Single Crystal Materials

赵丽丽 哈尔滨工业大学化工与化学学院教授, 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长

Zhao Lili Professor, School of Chemical Engineering and Chemistry, Harbin Institute of Technology

11:00-11:20

SiC同质外延缺陷研究 Research on SiC Homoepitaxial Defects

李 佳 中电科十三所基础研究部质量部主管

Li Jia Head of Quality Department, Basic Research Department, 13th Research Institute of CLP

11:20-12:00

Panel Discussion:

对话议题(拟定)

1 六英寸半绝缘型碳化硅衬底可靠性问题,量产时间

2 功率器件导电型衬底国产化的挑战及市场机会

3 衬底研磨抛及清洗设备对碳化硅衬底成本的影响及需求

4,外延设备国产化的时间

5,单晶炉品牌化的可能性

主持人: 于坤山- 第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长

对话嘉宾(拟定):

王垚浩——广州南砂晶圆半导体技术有限公司董事长

李 斌——山西烁科晶体有限公司总经理

赵丽丽——哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长

巩小亮——中国电子科技集团公司第四十八研究所 半导体装备研究部副主任

张永熙——上海瞻芯电子科技有限公司董事长

徐现刚——山东大学教授

王 刚—— 中国科学院物理所研究员

(备注:日程会有小幅改动,请以会议现场为准!)