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射频电子器件与应用论坛

射频电子器件与应用论坛

第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。本论坛的主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信(包括宏站、微站、毫米波等)中的应用等各方面。邀请国内外知名专家参加会议,呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。


【程序委员会专家&召集人】

射频电子器件与应用论坛
1.氮化镓射频器件
召集人:
蔡树军--中国电子科技集团公司第五十八研究所所长、研究员
陈堂胜--中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家
张韵--中国科学院半导体研究所副所长、研究员
张乃千--苏州能讯高能半导体有限公司董事长
敖金平--日本德岛大学教授、西安电子科技大学教授
于洪宇--南方科技大学深港微电子学院院长、教授
陶国桥--荷兰Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程师
冯志红--中国电子科技集团公司第十三研究所首席科学家

2.射频应用技术
召集人:
岳文胜--华为技术有限公司标准与产业发展部副总裁
刘建利--中兴通讯股份有限公司总工程师
祝 涛--浙江香农通信科技有限公司首席执行官


射频电子器件与应用论坛

时间:2021年12月6日 下午 13:30-18:00

地点:深圳会展中心•六层水仙厅

Time: Dec 6th,2021 Afternoon

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 6th Floor Narcissus Hall

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

主持人

Moderator

蔡树军——中国电子科技集团第五十八所所长、研究员

张乃千——苏州能讯高能半导体有限公司董事长

张 韵——中国科学院半导体研究所副所长、研究员

于洪宇——南方科技大学深港微电子学院院长、教授

13:30-13:55

Performance and Reliability of GaN HEMT devices with various gate dimensions realized by i-line stepper.

Sangmin LEE--韩国Wavice Inc首席技术官兼器件部门总监

Sangmin LEE --CTO and the head of Device division, Wavice Inc

13:55-14:20

亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延技术研究

Sub-Millimeter Wave Gan-Based HEMTs and Selective-Area Regrowth

张 韵—中国科学院半导体研究所副所长、研究员

ZHANG Yun-- Associate Director and Professor of The Institute of Semiconductors, CAS

14:20-14:45

面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展

Research Progress of GaN RF Devices for Mobile SoC Applications

刘志宏--西安电子科技大学特聘教授

LIU Zhihong-- Professor , Xidian University

14:45-15:10

GaN技术助力实现通信网络双碳目标

GaN technology helps achieve the dual-carbon goal of communication networks

刘建利--中兴通讯股份有限公司无线技术总工

LIU Jianli--Chief Engineer of Wireless Technology ,ZTE Corporation

15:10-15:30

创新测试方案助力射频芯片跨越发展New Test Solution for RF Front-end R&D and Production

郭进龙--罗德与施瓦茨市场发展经理

GUO Jinlong--Marketing Development Manager,  Rohde & Schwarz

15:30-15:45

茶歇/CoffeeBreak

15:45-16:10

转换效率超过91%的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器

GaN Schottky Barrier Diode Based Microwave Rectifier with Conversion Efficiency over 91%

敖金平--日本德岛大学教授、西安电子科技大学特聘教授

AO Jinping--Professor of the University of Tokushima, Professor of Xidian University

16:10-16:35

基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器

High Performance Terahertz Frequency Multipliers using GaN SBDs

冯志红--中国电子科技集团公司第十三研究所首席科学家

FENGZhihong--Chief Scientist of Hebei Semiconductor Research Institute

16:35-17:00

大功率GaN微波毫米波二极管及其创新应用

Large power RF GaN diodes and their innovative applications

张 凯--南京电子器件研究所高级工程师

ZHANG Kai--Senior Engineer of Nanjing Electronic Devices Institute

17:00-17:20

HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性

Spatial Non-Uniformity of the 2DEG Charge within the Channel of the HEMT Devices

Alsaman A. amgad--中国科学技术大学

Alsaman A. amgad--University of Science and Technology of China

17:20-17:40

关于氮化镓射频器件的缺陷与测试筛选的研究

Research on Defects and Test Screening of GaN RF Devices

李 强--ZTE中兴可靠性工程师

LI Qiang--Reliability Engineer of ZTE Corporation

17:40-18:00

宽频段高效率单片集成GaN基SBD倍频电路研究

A Monolithically Integrated GaN diode Frequency Doubler with broadband high conversion efficiency performance

曾建平--中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心副研究员

Zeng Jianping--Associate Professor, Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics