论坛报名
在线咨询
服务热线
Tel:010-82387600
TOP

第三代半导体标准与检测研讨会

与国际产业相比,我国第三代半导体产业市场集中度较低、企业技术储备能力弱,在SiC功率器件本身测试面临一定的问题时,创新市场的快速发展面临挑战,亟需标准化工作的支撑。


SiC作为宽禁带半导体材料具有耐高温、击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高等优势,适用于高温、高压、高频等工况的特点,但因材料本身缺陷密度高、SiC/SiO2界面陷阱密度高、材料各向异性等因素,高温度、高电场强度、高功率密度、高开关速度给SiC MOSFET器件与应用带来了很大的挑战;测试方面,设备精度、寄生参数、阈值电压漂移、热阻测试、高温高压栅偏、浪涌电流等有待产业逐步形成发展共识。


经过10年的发展,SiC技术基本成熟,为进入大众市场打开了大门;为探讨进一步推动功率器件、测试、应用等领域的技术融合,推动国产器件的市场化应用,分析器件测试、产品评价与标准制定面临的问题,第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)将在第七届国际第三代半导体论坛(IFWS 2021)召开之际,同期组织举办“第三代半导体标准与检测研讨会”。


会议时间:2021年12月6日 14:00-17:30

会议地点:广东·深圳会展中心·玫瑰厅