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第三代半导体标准与检测研讨会

与国际产业相比,我国第三代半导体产业市场集中度较低、企业技术储备能力弱,在SiC功率器件本身测试面临一定的问题时,创新市场的快速发展面临挑战,亟需标准化工作的支撑。


SiC作为宽禁带半导体材料具有耐高温、击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高等优势,适用于高温、高压、高频等工况的特点,但因材料本身缺陷密度高、SiC/SiO2界面陷阱密度高、材料各向异性等因素,高温度、高电场强度、高功率密度、高开关速度给SiC MOSFET器件与应用带来了很大的挑战;测试方面,设备精度、寄生参数、阈值电压漂移、热阻测试、高温高压栅偏、浪涌电流等有待产业逐步形成发展共识。


经过10年的发展,SiC技术基本成熟,为进入大众市场打开了大门;为探讨进一步推动功率器件、测试、应用等领域的技术融合,推动国产器件的市场化应用,分析器件测试、产品评价与标准制定面临的问题,第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)将在第七届国际第三代半导体论坛(IFWS 2021)召开之际,同期组织举办“第三代半导体标准与检测研讨会”。


会议时间:2021年12月6日 14:00-17:30

会议地点:广东·深圳会展中心·玫瑰厅

第三代半导体标准与检测研讨会

时间:202112614:00-17:30

地点:深圳会展中心 五层 玫瑰2

屏幕尺寸 / Slides Size4:3

主办单位:

第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会

协办单位:

泰克科技(中国)有限公司

北京博电新力电气股份有限公司

主持人

于坤山——第三代半导体产业技术创新战略联盟  秘书长

克——安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理

14:05-14:25

碳化硅MOSFET动态阈值电压稳定性研究

蒋华平——重庆大学研究员

14:25-14:45

SiC功率MOSFET器件退化表征方法研究

魏家行——东南大学副研究员

14:45-15:05

反并联FRDSiC MOSFET模块热阻测试方法研究

郭春生——北京工业大学副教授

15:05-15:25

SiC器件开关动态测试的挑战与应对

正——重庆大学副教授

15:25-15:35

茶歇

15:35-15:55

10kV碳化硅MOSFET的测试以及挑战                        

爽——合肥工业大学副研究员

15:55-16:05

第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现

川——泰克科技(中国)有限公司业务发展经理

16:05-16:25

SiC MOS器件辐射可靠性及失效机理研究

超——工业和信息化部电子第五研究所高级工程师

16:25-17:25

引言报告:SiC MOSFET标准制定的几点讨论

刘奥——中国电子科技集团第五十五研究所高级工程师

扩展议题:1、阈值电压与动态阈值电压测量;2、应用领域建议;3、测试设备需求;4CASAS工作组工作建议;5、其他。

17:25-17:30

总结