与国际产业相比，我国第三代半导体产业市场集中度较低、企业技术储备能力弱，在SiC功率器件本身测试面临一定的问题时，创新市场的快速发展面临挑战，亟需标准化工作的支撑。
SiC作为宽禁带半导体材料具有耐高温、击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高等优势，适用于高温、高压、高频等工况的特点，但因材料本身缺陷密度高、SiC/SiO2界面陷阱密度高、材料各向异性等因素，高温度、高电场强度、高功率密度、高开关速度给SiC MOSFET器件与应用带来了很大的挑战；测试方面，设备精度、寄生参数、阈值电压漂移、热阻测试、高温高压栅偏、浪涌电流等有待产业逐步形成发展共识。
经过10年的发展，SiC技术基本成熟，为进入大众市场打开了大门；为探讨进一步推动功率器件、测试、应用等领域的技术融合，推动国产器件的市场化应用，分析器件测试、产品评价与标准制定面临的问题，第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）将在第七届国际第三代半导体论坛（IFWS 2021）召开之际，同期组织举办“第三代半导体标准与检测研讨会”。
会议时间：2021年12月6日 14：00-17:30
会议地点：广东·深圳会展中心·玫瑰厅
