与国际产业相比，我国第三代半导体产业市场集中度较低、企业技术储备能力弱，在SiC功率器件本身测试面临一定的问题时，创新市场的快速发展面临挑战，亟需标准化工作的支撑。
SiC作为宽禁带半导体材料具有耐高温、击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高等优势，适用于高温、高压、高频等工况的特点，但因材料本身缺陷密度高、SiC/SiO2界面陷阱密度高、材料各向异性等因素，高温度、高电场强度、高功率密度、高开关速度给SiC MOSFET器件与应用带来了很大的挑战；测试方面，设备精度、寄生参数、阈值电压漂移、热阻测试、高温高压栅偏、浪涌电流等有待产业逐步形成发展共识。
经过10年的发展，SiC技术基本成熟，为进入大众市场打开了大门；为探讨进一步推动功率器件、测试、应用等领域的技术融合，推动国产器件的市场化应用，分析器件测试、产品评价与标准制定面临的问题，第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）将在第七届国际第三代半导体论坛（IFWS 2021）召开之际，同期组织举办“第三代半导体标准与检测研讨会”。
会议时间：2021年12月6日 14：00-17:30
会议地点：广东·深圳会展中心·玫瑰厅
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第三代半导体标准与检测研讨会 |
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时间：2021年12月6日14:00-17:30 地点:深圳会展中心 五层 玫瑰2 |
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屏幕尺寸 / Slides Size：4:3 |
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主办单位： 第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会 协办单位： 泰克科技（中国）有限公司 北京博电新力电气股份有限公司 |
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主持人 |
于坤山——第三代半导体产业技术创新战略联盟 秘书长 姜 克——安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理 |
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14:05-14:25 |
碳化硅MOSFET动态阈值电压稳定性研究 蒋华平——重庆大学研究员 |
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14:25-14:45 |
SiC功率MOSFET器件退化表征方法研究 魏家行——东南大学副研究员 |
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14:45-15:05 |
反并联FRD的SiC MOSFET模块热阻测试方法研究 郭春生——北京工业大学副教授 |
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15:05-15:25 |
SiC器件开关动态测试的挑战与应对 曾 正——重庆大学副教授 |
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15:25-15:35 |
茶歇 |
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15:35-15:55 |
10kV碳化硅MOSFET的测试以及挑战 赵 爽——合肥工业大学副研究员 |
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15:55-16:05 |
第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现 孙 川——泰克科技(中国)有限公司业务发展经理 |
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16:05-16:25 |
SiC MOS器件辐射可靠性及失效机理研究 彭 超——工业和信息化部电子第五研究所高级工程师 |
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16:25-17:25 |
引言报告：SiC MOSFET标准制定的几点讨论 刘奥——中国电子科技集团第五十五研究所高级工程师 扩展议题：1、阈值电压与动态阈值电压测量；2、应用领域建议；3、测试设备需求；4、CASAS工作组工作建议；5、其他。 |
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17:25-17:30 |
总结 |
