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氮化镓功率器件及应用

F1-氮化镓功率电子器件

时间:2021年12月7日 9:00-12:15

地点:深圳会展中心• 六层茉莉厅

Time: Dec 7th,2021

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 6th Floor Jasmine Hall

屏幕尺寸 / Slide Size:16:9

主持人

Moderator

张 波/ZHANG Bo——电子科技大学教授

张进成/ZHANG Jincheng——西安电子科技大学副校长、教授

孙 钱/SUN Qian——中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

9:00-9:20

用于 GaN 功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器 IC Smart Gate Driver ICs for GaN Power Transistors and Power Modules

吴伟东—加拿大多伦多大学教授

Wai Tung NG-- Professor at University of Toronto, Canada

9:20-9:40

GaN器件及其系统的最新研究进展The latest research progress of GaN devices and their systems

于洪宇—南方科技大学深港微电子学院院长、教授

YU Hongyu—Dean & Professor of School of Microelectronics at Southern University of Science and Technology

9:40-10:00

Si衬底上GaN基功率电子材料及器件物理研究Physics of GaN-based Power Electronic Materials and Devices on Si Substrates

杨学林——北京大学物理学院高级工程师

YANG Xuelin——Associate Professor, School of Physics, Peking University

10:00-10:15

关/开态偏压条件下Mg掺杂GaN/AlN超晶格HEMTs的时间相关退化机制研究

Time-dependent Characteristics and Physical Mechanisms of Mg Doping GaN/AlN Superlattice HEMTs under OFF-state and On-state Bias Conditions

李国强/李善杰--华南理工大学

LI Guoqiang/LI Shanjie-- South China University of Technology

10:15-10:35

基于增强型和耗尽型GaN金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管的单片集成比较器的高温应用研究Monolithic Comparators using E/D-mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs for High-temperature Applications

王惟生-西交利物浦大学

Wang weisheng ---Xi'an Jiaotong-Liverpool University

10:35-10:50

茶歇/Coffee break

10:50-11:10

硅基GaN功率电子材料与器件Silicon-based GaN power electronic materials and devices

孙钱--中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

SUN Qian---Professor, Suzhou Institute of Nano-Technology and Nano-Bionics, CAS

11:10-11:30

基于直接键合工艺液冷散热技术的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究Compact GaN Power Modules with Direct Bonded Liquid-Cooled Heat Exchanger and Its Thermal Modeling

张薇葭---- 美国Analog 设备公司IC电源控制组设计工程师

ZHANG Weijia--IC design Engineer,Power control group, Analog Devices INC, USA

11:30-11:45

2寸独立晶圆上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基势垒二极管1.7 kV Vertical GaN-on-GaN Schottky Barrier Diodes on 2”Free-standing Wafer

刘新科--深圳大学微电子研究院院长助理、材料学院研究员

LIU Xinke--Researcher of the School of Materials Science and Engineering, Shenzhen University

11:45-12:00

具有 TiN 和 NiN 双阳极的凹槽式 AlGaN/GaN 肖特基势垒二极管Recessed AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with TiN and NiN dual anodes

王婷婷 --西安电子科技大学

WANG Tingting-- Xidian University

12:00-12:15

GaN HEMT功率器件的热瞬态测试方法与机理研究Study on Thermal Transient Measurement Method and Mechanism of GaN HEMT Power Devices

李曦--电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

LI Xi—College of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China