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氮化物半导体衬底、外延与装备-SSL&IFWS系列

SSL&IFWS系列会议

材料水平直接决定了器件的性能。以碳化硅、氮化镓等重要的第三代半导体材料,在大功率高频器件中具有重要的应用。其本论坛碳化硅衬底与外延、氮化镓衬底与外延两个单元,分别涵盖碳化硅和氮化镓生长材料、衬底、同(异)质外延薄膜、测试表征和相关设备,对碳化硅和氮化镓从机理到工业化进程进行系统的探讨。以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料与其他先进电子材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性,在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显着的优势和巨大的发展潜力。本论坛超宽禁带与其他先进电子材料单元着重研讨超宽禁带半导体材料与其他先进电子材料的制备、工艺技术、关键设备,探讨部分器件应用。生长装备与其他装备单元,本着“材料、工艺、装备一体化”发展的宗旨,促进装备企业与产业链上下游企业之间的互动交流与协同合作,助力研发自主创新的国产化装备。


【程序委员会专家团】

材料与装备论坛

氮化镓衬底与外延

召集人:

沈波——北京大学理学部副主任、教授

徐科——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所副所长、研究员

黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员

毕文刚——江苏第三代半导体研究院副院长


氮化物半导体衬底与外延技术

时间:2021年12月7日 13:30-17:10

地点:深圳会展中心•五层玫瑰厅3

Time: Dec 7th,2021 Afternoon

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5thRose Hall 3

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

主持人

Moderator

沈波--北京大学理学部副主任、教授

徐科--中科院苏州纳米所副所长、研究员

杜志游—中微半导体设备(上海)有限公司常务副总裁、首席运营官

13:30-13:55

无氨高温 MOCVD 生长的高质量极性和半极性氮化铝High quality polar and semipolar AlN grown by ammonia-free high temperature MOCVD

沈旭强--日本产业技术综合研究所上级主任研究员

X. Q. SHEN--Chief senior researcher of Advanced Power Electronics Research Center,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan

13:55-14:20

大尺寸AlN单晶的同质PVT生长研究

Research on Homogeneous PVT Growth of Large Size AlN Single Crystal

于彤军--北京大学物理学院教授

YU Tongjun--Professor of SchoolofPhysics, Peking University

14:20:14:45

氮化铝晶体PVT生长装置及技术研究

Research on PVT Growth Device and Technology of AlN Crystal

武红磊--深圳大学物理与光电工程学院副院长、教授

WUHonglei--DeputyDean&ProfessorofCollegeofPhysicsandOptoelectronicsEngineering, Shenzhen University

14:45-15:05

国产4英寸GaN衬底上MOCVD外延高质量AlGaN/GaN HEMT材料

High Quality AlGaN/GaN HEMT Homo-epitaxy on 4-inch Homebred GaN Substrate by MOCVD

高楠--河北半导体研究所

GAONan--Hebei Semiconductor Research Institute

15:05/15:20

茶歇/Coffee break

15:20-15:45

玻璃衬底氮化物异构外延

Hetorogeneous Epitaxy of Nitride on Glass Wafer

刘志强--中国科学院半导体研究所研究员

LIU Zhiqiang--Professor, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

15:45-16:10

PVT生长高质量、大尺寸AlN单晶最新进展及其未来挑战

Latest progress and challenges on high-quality and large-size AlN single crystals grown by the PVT method

吴亮--奥趋光电技术(杭州)有限公司首席执行官

Wu Liang--CEO of Ultratrend Technologies Inc.

16:10-16:30

2英寸低位错密度高电导率和半绝缘氮化镓自支撑衬底的生长

Growth of Highly Conductive and Semi-insulating 2-inch Freestanding GaN Substrates with Low Dislocation Density

刘强--中镓半导体科技有限公司顾问

LIU Qiang--Consultant of Sino-Nitride Semiconductor Co. Ltd

16:30-16:50

助熔剂法氮化镓微碟不同极性面的光学性能

Polar dependence of impurity incorporation and yellow-green luminescence in spontaneous nucleation microdisks grown by Na-flux method

司志伟--中国科学院苏州纳米所纳米研究所

SIZhiwei--Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics

16:50-17:10



基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究

Epitaxy and high temperature treating of semipolar AlN on sapphire

陈荔—中国科学院宁波材料技术与工程研究所助理研究员

Li Chen—Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering, CAS

(备注:日程会有小幅改动,请以会议现场为准!)