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Carl-Mikael Zetterling
瑞典皇家理工学院教授

Carl-Mikael Zetterling 毕业于瑞典皇家理工学院(KTH) ,分别于 1991 年和 1997 年获得硕士和博士学位。 1997年,入职KTH电气工程学院,他自 2005 年起担任固态电子学教授,自 2018 年起担任电子和嵌入式系统部门负责人。 1995 - 1996 年,斯坦福大学集成系统中心特邀学者。 1998年、2001年,两次赴日本京都大学担任特邀教授。

他的研究领域是高压功率器件的工艺技术和器件设计,以及碳化硅中的高温辐射硬模拟和数字集成电路。他是KTH“在金星上工作”项目的主要参与人之一。他与他人合作发表了约 280 篇学术论文(包括期刊与会议),包括编辑一本关于碳化硅器件工艺技术的书,并与Jude Carroll合著关于学术诚信的著作。 Zetterling 教授曾在 TMS 电子材料会议和 IEEE SISC 会议的技术程序委员会任职。他是 IEEE Journal of the Electron Devices Society 的编辑。


摘要:

用于极端环境电子产品的 SiC 集成电路

碳化硅 (SiC) 现已广泛用于商用高压电子开关设备。利用击穿的高临界场,提高掺杂水平,减小阻挡区的宽度;因此,与硅高压开关相比,导通电阻降低了 400 倍。众所周知,宽带隙会导致本征载流子浓度的强烈降低,因此可以在高温下工作。硅中载流子的热产生会导致结漏电流和故障,即使对于绝缘体上的硅 (SOI) 也是如此,这一特性将其工作温度限制在 300 °C 左右。然而,即使在 500 – 800 °C 或更高的温度范围内,SiC 器件和集成电路也能运行。在首次展示用于极端温度的数字和模拟集成电路之后,人们将目光投向了能够进行信号放大和转换的混合信号系统。这促进了工艺设计套件的开发,并实现了约 2000 个晶体管和 UV 像素检测器的更高集成度。研究 SiC 电子产品的另一个极端环境是抗辐射环境,例如航空航天和核能。高压器件的辐射硬度结果喜忧参半,而对于低压集成电路,碳化硅无疑前景广阔。报告将展示和讨论与“在金星上工作”项目相关的七年多批次内部双极和 CMOS 集成电路技术的实验结果。